型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: 双极性晶体管描述: 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors712210+￥1.228550+￥1.1648100+￥1.1193300+￥1.0920500+￥1.06471000+￥1.03742500+￥0.99655000+￥0.9874 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。84605+￥12.706250+￥12.1632200+￥11.8591500+￥11.78311000+￥11.70712500+￥11.62025000+￥11.56597500+￥11.5116 -
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品类: MOS管描述: FCPF16N60 系列 600 V 0.22 Ohms N 沟道 Mosfet TO-220F46865+￥13.197650+￥12.6336200+￥12.3178500+￥12.23881000+￥12.15982500+￥12.06965000+￥12.01327500+￥11.9568 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF3860T 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.0291 ohm, 10 V, 2.5 V456010+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: 双极性晶体管描述: 高压彩色显示器的水平偏转输出 High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output20095+￥18.778550+￥17.9760200+￥17.5266500+￥17.41431000+￥17.30192500+￥17.17355000+￥17.09337500+￥17.0130 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP22N60N. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V 22A TO-22051625+￥26.336750+￥25.2112200+￥24.5809500+￥24.42341000+￥24.26582500+￥24.08575000+￥23.97327500+￥23.8606 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF15N65 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 5 V755510+￥8.7360100+￥8.2992500+￥8.00801000+￥7.99342000+￥7.93525000+￥7.86247500+￥7.804210000+￥7.7750 -
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品类: MOS管描述: Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-88334 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET 2安培， 500伏 Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts42005+￥26.278250+￥25.1552200+￥24.5263500+￥24.36911000+￥24.21192500+￥24.03225000+￥23.91997500+￥23.8076 -
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品类: 双极性晶体管描述: 四通道放大器/开关晶体管NPN硅 Quad Amplifier/Switch Transistor NPN Silicon49385+￥5.251525+￥4.862550+￥4.5902100+￥4.4735500+￥4.39572500+￥4.29855000+￥4.259610000+￥4.2012 -
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品类: 双极性晶体管描述: 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS946710+￥8.7360100+￥8.2992500+￥8.00801000+￥7.99342000+￥7.93525000+￥7.86247500+￥7.804210000+￥7.7750 -
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品类: 双极性晶体管描述: 硅功率晶体管 Silicon Power Transistors58725+￥20.439950+￥19.5664200+￥19.0772500+￥18.95501000+￥18.83272500+￥18.69295000+￥18.60567500+￥18.5182 -
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品类: 双极性晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR MC1413PG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP31225+￥2.983525+￥2.762550+￥2.6078100+￥2.5415500+￥2.49732500+￥2.44215000+￥2.420010000+￥2.3868 -
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品类: 双极性晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR MC1413DG 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC38305+￥1.471525+￥1.362550+￥1.2862100+￥1.2535500+￥1.23172500+￥1.20455000+￥1.193610000+￥1.1772 -
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品类: MOS管描述: DPAK N-CH 30V 65A363010+￥1.282550+￥1.2160100+￥1.1685300+￥1.1400500+￥1.11151000+￥1.08302500+￥1.04035000+￥1.0308 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 4 V53125+￥5.845525+￥5.412550+￥5.1094100+￥4.9795500+￥4.89292500+￥4.78475000+￥4.741410000+￥4.6764 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET98605+￥19.328450+￥18.5024200+￥18.0398500+￥17.92421000+￥17.80862500+￥17.67645000+￥17.59387500+￥17.5112 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。90615+￥28.711850+￥27.4848200+￥26.7977500+￥26.62591000+￥26.45412500+￥26.25785000+￥26.13517500+￥26.0124 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V29625+￥25.143350+￥24.0688200+￥23.4671500+￥23.31671000+￥23.16622500+￥22.99435000+￥22.88697500+￥22.7794 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 320 mohm, 10 V, 5 V104210+￥9.9360100+￥9.4392500+￥9.10801000+￥9.09142000+￥9.02525000+￥8.94247500+￥8.876210000+￥8.8430 -
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品类: 双极性晶体管描述: STMICROELECTRONICS BDW94CFP 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 33 W, -12 A, 1000 hFE248010+￥7.2000100+￥6.8400500+￥6.60001000+￥6.58802000+￥6.54005000+￥6.48007500+￥6.432010000+￥6.4080 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管93285+￥4.036525+￥3.737550+￥3.5282100+￥3.4385500+￥3.37872500+￥3.30405000+￥3.274110000+￥3.2292 -
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品类: 双极性晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR TIP122G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 5 A, 1000 hFE98975+￥2.767525+￥2.562550+￥2.4190100+￥2.3575500+￥2.31652500+￥2.26535000+￥2.244810000+￥2.2140 -
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品类: 双极性晶体管描述: 高压中等电流驱动器阵列 HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS26541+￥306.785510+￥298.782450+￥292.6467100+￥290.5125200+￥288.9119500+￥286.77781000+￥285.44392000+￥284.1101 -
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品类: MOS管描述: N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor37495+￥1.606525+￥1.487550+￥1.4042100+￥1.3685500+￥1.34472500+￥1.31505000+￥1.303110000+￥1.2852 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 复合晶体管，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管62525+￥2.700025+￥2.500050+￥2.3600100+￥2.3000500+￥2.26002500+￥2.21005000+￥2.190010000+￥2.1600 -
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块，STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列，STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡，结合了出色的坚固性和 EMI 行为，它们可提高电动机驱动器应用的效率，使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装，具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接，包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V，额定值从 8A 到 35A 直流（25°C 时） 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值，用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅，提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器，用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器，STMicroelectronics70651+￥43.944410+￥41.4230100+￥39.5500250+￥39.2618500+￥38.97361000+￥38.64952500+￥38.36135000+￥38.1812
